Spoločnosť spustila výrobu prvého 4-bitového pevného SATA disku s nevolatilnou flash pamäťou (SSD) s kapacitou až 4 TB.
Očakáva sa, že QLC SSD disk spoločnosti Samsung postavený na 1 terabitovej (Tb) technológii V-NAND s výkonom zodpovedajúcim 3-bitovej koncepcii, pozdvihne účinnosť spotrebiteľských SSD diskov na novú úroveň.
Vďaka novému 4-bitovému čipu, ktorý je postavený 1 Tb technológiou V-NAND bude Samsung schopný účinne vyrábať 128 GB pamäťovú kartu pre smartfóny, čo povedie k dopytu po vyšších kapacitách vysoko výkonných pamäťových úložísk pre rôzne aplikácie.
Keď sa však objem dát uložených v jednej pamäťovej bunke zvýši z troch bitov na štyri, vzrastie kapacita čipu na jednotku plochy a elektrický náboj (používaný na zistenie informácie zo snímača) sa zníži až o 50 percent, čo značne zhoršuje udržanie požadovaného výkonu a rýchlosti zariadenia.
Avšak 4-bitový 4TB QLC SATA SSD disk od Samsungu udržiava výkon na rovnakej úrovni ako 3-bitový SSD disk tým, že využíva 3-bitový SSD radič a technológiu TurboWrite a súčasne zvyšuje kapacitu jednotky použitím 32 čipov, to všetko na základe 64-vrstvovej 1Tb technológie V-NAND štvrtej generácie[1].
4-bitový QLC SSD disk umožňuje sekvenčné čítanie s rýchlosťou 540 MB/s, sekvenčný zápis s rýchlosťou 520 MB/s a dodáva sa s trojročnou zárukou. Do konca tohto roka plánuje Samsung predstaviť niekoľko 4-bitových SSD diskov pre spotrebiteľský trh, a to s kapacitami 1 TB, 2 TB a 4 TB v široko používanom 2,5-palcovom formáte.
Spoločnosť okrem toho predpokladá, že tento rok poskytne podnikovému sektoru M.2 NVMe SSD disky a spustí hromadnú výrobu 4-bitových pamätí postavených na technológii V-NAND piatej generácie. Cena diskov bude 154 € za kapacitu 1TB, 309 € za kapacitu 2TB a 719 € za kapacitu 4TB. Dostupné budú koncom novembra.
* História hromadnej výroby SSD diskov spoločnosti Samsung v bitoch na bunku:
| Rok výroby | Počet bitov | Technológia | Kapacita čipu | Kapacita disku |
| 2006 | 1 bit SLC (jednoúrovňová bunka) | 70 nm | 4 Gb | 32 GB |
| 2010 | 2 bity MLC (viacúrovňová bunka) | 30 nm | 32 Gb | 512 GB |
| 2012 | 3 bity TLC (trojúrovňová bunka) | 20 nm | 64 Gb | 512 GB |
| 2018 | 4 bity GLC (štvorúrovňová bunka) | V-NAND 4. gen. | 1 Tb | 4 TB |
[1] 1 Tb (128 GB) x 32 = 4 TB (4 096 GB)
Zdroj: Samsung
Prečítajte si aj:
