Samsung prichádza na trh s novými pamäťovými čipmi, výsledkom by mal byť nárast kapacity operačnej pamäte v smartfónoch.
Samsung má prvé 12 Gb LPDDR4 – Low power, double data rate 4 DRAM moduly založené na 20 nm výrobnom procese. Prínos nového čipu bude mať okrem nárastu zväčšenia kapacity aj lepšiu energetickú efektivitu. V porovnaní s 8 Gb modulom je nový 12 Gb o 30% rýchlejší. Má teda dátovú priepustnosť 4,226 Mbps a spotrebuje o 20% menej energie.
Na dosiahnutie kapacity 6 GB RAM v smartfónoch tak budú stačiť dva pamäťové čipy v jednom balení. Na predstavu, 6 GB RAM zaberie na doske rovnaké miesto ako polovičná kapacity v minulosti. Samsung plánuje dodávať čipy v kapacitách 4/6/8/12 Gb.
Zdroj: Samsung Tomorrow
Značky:
