Spoločnosť Samsung oznámila na svojej oficiálnej webovej stránke začiatok sériovej výroby prvej generácie čipov, ktoré sú založené na 3-nanometrovej (nm) technológii.
Podľa výrobcu pôjde o zásadné zlepšenie oproti doterajšej 5 nm technológii v oblasti výkonu aj efektivity. Konkrétne má ísť o nárast výkonu o 23 percent a zlepšenie energetickej efektivity až o 45 percent pri súčasnom zmenšení čipu o 16 percent.
Samsung konkretizuje, že nové čipy budú založené na tranzistorovej architektúre Gate-All-Around (GAA), ktorá nahrádza predchádzajúcu FinFET. Výhodou majú byť širšie kanály, ktoré umožnia vyšší výkon a lepšiu energetickú účinnosť.
Prvá generácia nových čipov má byť určená pre zariadenia s vysokým výpočtovým výkonom, kde je zároveň požadovaná nízka spotreba energie. Samsung však neskôr plánuje jej uplatnenie aj pri výrobe procesorov pre mobilné zariadenia.
Ako informuje portál Pocketnow.com, Samsung spustí masovú výrobu nových čipov zrejme v druhej polovici aktuálneho roka. Považuje však za nepravdepodobné, že by už v tomto roku prišli na trh zariadenia, ktoré by ich obsahovali.
Súčasné highendové procesory, ako napríklad Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1, sú postavené na 4 nm výrobnom procese. To sa však zrejme čoskoro zmení, keďže aj ďalší veľkí svetoví výrobcovia čipov, okrem iných Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), už výrazne investujú do prípravy až 2 nm výrobných procesov.
Prečítajte si tiež:
