Vyrobené budú 3nm procesom.

Portál GSMArena informuje, že Samsung by mal v najbližších dňoch oznámiť spustenie masovej výroby 3nm čipov. Podľa agentúry Yonhap News by sa tak malo udiať už budúci týždeň, čo spoločnosti Samsung dáva oproti TSMC konkurenčnú výhodu. Taiwanská spoločnosť sa síce takisto pripravuje na spustenie produkcie 3nm čipov, ale malo by sa tak stať až “niekedy” v druhej polovici tohto roka.  

3nm výrobný proces spoločnosti Samsung prinesie v porovnaní s 5nm technológiou zníženie plochy čipov o 35 %. Zároveň sa dosiahne 30 % zvýšenie výkonu alebo 50 % nižšia spotreba energie (v závislosti na konečnej konfigurácii čipu).

Dizajn tranzistorovZdroj: GSMArena
Dizajn tranzistorov

Tieto parametre je možné dosiahnuť vďaka novému dizajnu tranzistorov Gate-All-Around (GAA). Ide o novú generáciu, ktorá nahradí doterajší FinFET, ktorým boli vyrobené napríklad čipy Snapdragon 888 a Exynos 2100. Nový dizajn umožní Samsungu zmenšiť tranzistory bez negatívneho dopadu na ich schopnosť prenášať prúd. 3nm dizajn GAAFET si môžete pozrieť na obrázku vyššie, pričom hneď vedľa neho sa nachádza MBCFET, ktorý príde do výroby v najbližších rokoch.

Ešte v roku 2023 sa očakáva druhá generácia 3nm čipov, pričom na 2nm čipy, založené na dizajne MBCFET, si budeme musieť počkať až do roku 2025.

Zdroj: GSMArena

Prečítajte si aj: