Toshiba spolu so SanDiskom majú nový míľnik vo svojej histórii a prvenstvo vo oblasti 3D NAND čipov.
Nové usporiadanie buniek na silikónovom substráte umožnilo príchod novej generácie BiCS FLASH čipov. Ide o svetové prvenstvo s 32 GB a 48-vrstvovým BiCS pamäťovým zariadením s využitím tzv. triple-cell ukladania dát. Prvé vzorky začnú byť dostupné v septembri.
BiCS FLASH je založená na 48 vrstvách s technológiou stohovania. Zvyšuje sa nielen kapacita ale aj rýchlosť zápisu a spoľahlivosť. Nová technológia bude vhodná pre bežných používateľov ale aj pre firmy. Svoje uplatnenie nájde v pamäťových kartách, smartfónoch, tabletoch alebo napríklad v SSD pre dátové centrá.
Skutočné prototypy by mali byť na trhu dostupné až v roku 2017. Toshiba úž chystá dlhodobú výrobu vo fabrike Fab2 v Yokkaichi Operations. Prvá hala Fab2 bude dokončená budúci rok.